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cascode jfet 文章 進(jìn)入cascode jfet技術(shù)社區
英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現更智能、更快速的固態(tài)配電
- Infineon Technologies 開(kāi)發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過(guò)反向偏置 PN 結上的電場(chǎng)來(lái)控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著(zhù)降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現更加智能、快速的固態(tài)配電
- 近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線(xiàn)性模式下的熱穩定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車(chē)應用中實(shí)現可靠且高效的系統性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車(chē)電池隔離開(kāi)關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應用場(chǎng)景中展現出顯著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關(guān)鍵電參數、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導體開(kāi)發(fā)者提供從基礎理論到實(shí)踐應用的完整技術(shù)指引。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關(guān)鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結構。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著(zhù)的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現最低的RDS.A，需要權衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著(zhù)如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù)，基于雙極結型晶體
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Cascode
為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書(shū)完整版
- 隨著(zhù)Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！http://dyxdggzs.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://dyxdggzs.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰，本文將介紹演示和測試結果。演
- 關(guān)鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設計
SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！
- 隨著(zhù)Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數和并聯(lián)振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實(shí)際上也是通過(guò)并聯(lián)芯片實(shí)現的。本文總結了適用于所
- 關(guān)鍵字： JFET Cascode 功率半導體
從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？
- 電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù)，基于雙極結型晶體管（B
- 關(guān)鍵字： SiC Cascode JFET AC-DC
安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強其針對AI數據中心的電源產(chǎn)品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來(lái)常用的現成驅動(dòng)器。綜合這
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安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)
- 據安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿(mǎn)足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場(chǎng)的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 安森美 收購 Qorvo SiC JFET
很基礎的MOS管知識
- 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱(chēng)為單極型三極管，因為這種管子是利用電場(chǎng)效應控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應三極管（FET），簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。場(chǎng)效應管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結型場(chǎng)效應管（JFET），另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應管”你會(huì )發(fā)現，搜索出來(lái)的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應管。即使搜索“結型場(chǎng)效應管”，出來(lái)的也只有幾種，你是不是懷疑結型場(chǎng)效應管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué)，沒(méi)錯，JFE
- 關(guān)鍵字： 三極管 MOSFET JFET
還分不清結型場(chǎng)效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現
- JFET 與 MOSFET的區別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結上的電場(chǎng)引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。JFET 與 MOSFET的區別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱(chēng)為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱(chēng)為“OFF 器件”，
- 關(guān)鍵字： 結型場(chǎng)效應管 jfet MOSFET 電路設計
結型場(chǎng)效應管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷
- 今天給大家講講結型場(chǎng)效應管極性判斷方法。用萬(wàn)用表來(lái)判斷JFET極性相對來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，因為只有一個(gè)PN結要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結型場(chǎng)效應管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應晶體管的基極，源極對應晶體管的發(fā)射極，漏極對應晶體管的集電極。在這之前講過(guò)關(guān)于三極管測好壞的方法，極性的判斷?？梢渣c(diǎn)擊標題直接跳轉。三極管的測量方法和管腳辨別方法，一文總結，幾分鐘教你學(xué)會(huì )將萬(wàn)用表設置為“R×1k”，用兩根表筆測量 每?jì)蓚€(gè)引腳之間的正反向電阻。當兩個(gè)引腳的正反向電阻均為幾千歐
- 關(guān)鍵字： 結型場(chǎng)效應管 jfet 電路設計
cascode jfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cascode jfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cascode jfet的理解，并與今后在此搜索cascode jfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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